การวัดความต้านทานไปข้างหน้าความถี่สูงของไดโอด PIN

การนำเทคโนโลยีไร้สาย 5G รุ่นต่อไปมาใช้ ซึ่งมีคุณสมบัติรวมถึงการสื่อสารที่มีความล่าช้าต่ำและการเชื่อมต่อแบบหลายโหนดกำลังดำเนินไปอย่างรวดเร็ว นอกจากนี้ แอปพลิเคชันการสื่อสารความเร็วสูง เช่น Vehicle-to-Everything (V2X) ซึ่งอธิบายการสื่อสารระหว่างยานพาหนะและอุปกรณ์อื่นๆ ก็กลายเป็นเรื่องธรรมดามากขึ้นเช่นกัน
ส่วนประกอบที่เรียกว่าไดโอด PIN มีบทบาทสำคัญในวงจรที่จัดการสัญญาณความเร็วสูง ไดโอด PIN คือเซมิคอนดักเตอร์ที่มีชั้นภายในคั่นอยู่ระหว่างทางแยก PN PIN ย่อมาจากเซมิคอนดักเตอร์ชนิด P, เลเยอร์ภายใน และเซมิคอนดักเตอร์ชนิด N
ลักษณะของพวกเขารวมถึงต่อไปนี้:
• มีความจุต่ำมากระหว่างเทอร์มินัลเพื่อหลีกเลี่ยงผลกระทบใดๆ ต่อการแพร่กระจายของสัญญาณความเร็วสูง
• พวกมันทำงานเป็นตัวต้านทานปรับค่าได้เมื่อใช้แรงดันไปข้างหน้าเพื่อทำให้กระแสไปข้างหน้าไหล
เนื่องด้วยคุณลักษณะเหล่านี้ ไดโอด PIN จึงเหมาะอย่างยิ่งที่จะใช้ในวงจรควบคุมอัตราขยายอัตโนมัติ (AGC) การสลับการรับส่งสัญญาณความเร็วสูง และการทำงานของสวิตช์

ไดโอด PIN ทำงานเป็นตัวต้านทานแบบแปรผันเมื่อจ่ายแรงดันไปข้างหน้าเพื่อทำให้กระแสไหลไปข้างหน้า คุณลักษณะนี้เรียกว่าความต้านทานไปข้างหน้าความถี่สูง มักจะแสดงเป็น "Rf" บนแผ่นข้อมูล Rf ความต้านทานไปข้างหน้าความถี่สูงโดยทั่วไปจะวัดที่ 100 MHz ในขณะที่ใช้กระแสตรง
โปรดดูรูปสำหรับการเชื่อมต่อไบอัสที ส่วนประกอบนี้บล็อกกระแส DC จากแหล่งจ่ายไฟ DC เพื่อไม่ให้ไหลไปยัง IM7581 นอกจากนี้ สัญญาณการวัด 100 MHz ของ IM7581 ยังถูกบล็อกโดยคอยล์โช้คในไบอัสที เพื่อไม่ให้ไหลไปยังแหล่งจ่ายไฟ DC การใช้ทีไบแอสทำให้สามารถวัดค่าความต้านทานไปข้างหน้าความถี่สูงที่ 100 MHz ขณะที่จ่ายกระแสไฟตรงไปยังไดโอด PIN ได้

ข้อมูลต่อไปนี้ได้มาโดยการวัดไดโอด PIN ด้วย IMPEDANCE ANALYZER IM7581-01