Mengukur resistansi maju frekuensi tinggi dari dioda PIN

Adopsi teknologi wireless 5G generasi berikutnya, yang fitur-fiturnya mencakup komunikasi dengan penundaan rendah dan koneksi multi-node, terus berjalan dengan cepat. Selain itu, aplikasi komunikasi berkecepatan tinggi seperti vehicle-to-everything (V2X), yang menggambarkan komunikasi antara kendaraan dan perangkat lain, juga menjadi lebih umum.
Komponen yang dikenal sebagai dioda PIN memainkan peran penting dalam rangkaian yang menangani sinyal berkecepatan tinggi. Dioda PIN adalah semikonduktor dengan lapisan intrinsik yang diapit di antara sambungan PN. PIN adalah singkatan dari semikonduktor tipe-P, lapisan intrinsik, dan semikonduktor tipe-N.
Ciri-cirinya antara lain sebagai berikut:
• Mereka mempunyai kapasitansi yang sangat rendah antar terminal untuk menghindari efek apapun pada propagasi sinyal berkecepatan tinggi.
• Mereka beroperasi sebagai resistor variabel ketika tegangan maju diterapkan untuk menyebabkan arus maju mengalir.
Karena karakteristik ini, dioda PIN sangat cocok untuk digunakan dalam rangkaian kontrol penguatan otomatis (AGC), peralihan transmisi-penerimaan sinyal berkecepatan tinggi, dan operasi peralihan.

Dioda PIN beroperasi sebagai resistor variabel ketika tegangan maju diterapkan untuk menyebabkan arus maju mengalir. Karakteristik ini, yang dikenal sebagai resistensi maju frekuensi tinggi, sering dinyatakan sebagai “Rf” pada lembar data. Resistansi maju frekuensi tinggi Rf umumnya diukur pada 100 MHz dengan menggunakan arus DC.
Silakan lihat gambar untuk sambungan bias-tee. Komponen ini memblokir arus DC dari power supply DC agar tidak mengalir ke IM7581. Selain itu, sinyal pengukuran 100 MHz IM7581 diblokir oleh choke coil pada bias tee sehingga tidak mengalir ke catu daya DC. Penggunaan tee bias memungkinkan untuk mengukur resistansi maju frekuensi tinggi pada 100 MHz sambil mengalirkan arus DC ke dioda PIN.

Data berikut diperoleh dengan mengukur dioda PIN dengan IMPEDANCE ANALYZER IM7581-01.